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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPI045N10N3GXK |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 137A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 150µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8410pF @ 50V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 214W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |