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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPI045N10N3GXK |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 137A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 214W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |