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| Numero di parte | IPI045N10N3GXK |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 137A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPI040N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPI040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A | 1000 | Dettagli | |
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IPI041N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPI045N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 36 | Dettagli |
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IPI045N10N3GXK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 6845 | Dettagli |
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IPI045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 18500 | Dettagli |
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IPI04CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | 0 | Dettagli | |
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IPI04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 | 0 | Dettagli |