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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPAN60R650CEXKSA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.9A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 200µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 20.5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 440pF @ 100V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | Super Junction |
消費電力(最大) | 28W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | - |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |