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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPAN60R650CEXKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 28W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 61357 | Einzelheiten |
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IPAN60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 9.9A TO220 | 973 | Einzelheiten | |
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IPAN60R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 8.4A TO220 | 963 | Einzelheiten |