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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | FDMQ8403 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET機能 | Standard |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.1A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 215pF @ 15V |
電力 - 最大 | 1.9W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 12-WDFN Exposed Pad |
サプライヤデバイスパッケージ | 12-MLP (5x4.5) |