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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | FDMQ8403 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 15V |
Leistung max | 1.9W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 12-WDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | 12-MLP (5x4.5) |