FDMQ8403

MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
FDMQ8403 P1
FDMQ8403 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMQ8403

Numéro d'article
FDMQ8403
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMQ8403
État de la pièce Active
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 15V
Puissance - Max 1.9W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 12-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 12-MLP (5x4.5)

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