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Numero di parte | RSQ020N03TR |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 134 mOhm @ 2A, 10V |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |