Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | RSQ020N03TR |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 600mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 134 mOhm @ 2A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |