RSQ020N03TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RSQ020N03TR P1
RSQ020N03TR P2
RSQ020N03TR P1
RSQ020N03TR P2
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Rohm Semiconductor ~ RSQ020N03TR

Número de pieza
RSQ020N03TR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- RSQ020N03TR PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza RSQ020N03TR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 134 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT6 (SC-95)
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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