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Numero di parte | PMDPB85UPE,115 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 514pF @ 10V |
Potenza - Max | 515mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020-6 |