Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | PMDPB55XP,115 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 10V |
| Potenza - Max | 490mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB28UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 | - | 0 | Dettagli |
 |
PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | 0 | Dettagli | |
 |
PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | - | 0 | Dettagli |
 |
PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | - | 0 | Dettagli |
 |
PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | 0 | Dettagli | |
 |
PMDPB56XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | - | 0 | Dettagli |
 |
PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6 | 3000 | Dettagli | |
 |
PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | 0 | Dettagli | |
 |
PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | - | 0 | Dettagli |
 |
PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | - | 0 | Dettagli |
 |
PMDPB70XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN | 0 | Dettagli | |
 |
PMDPB70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON | 3000 | Dettagli |