PMDPB70EN,115

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
PMDPB70EN,115 P1
PMDPB70EN,115 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMDPB70EN,115

Numero di parte
PMDPB70EN,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte PMDPB70EN,115
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 15V
Potenza - Max 510mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020-6

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