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Numero di parte | BUK9C10-65BIT,118 |
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Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 65V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59.6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 171W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |