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Numéro d'article | BUK9C10-65BIT,118 |
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État de la pièce | Last Time Buy |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 65V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 75A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 59.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4170pF @ 25V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 171W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | D2PAK-7 |
Paquet / cas | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |