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Número de pieza | BUK9C10-65BIT,118 |
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Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 65V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4170pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 171W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK-7 |
Paquete / caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |