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| Numero di parte | IPB50R140CPATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2540pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 192W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPB50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-263 | - | 26587 | Dettagli |
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IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 | - | 0 | Dettagli |