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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPB50R140CPATMA1 |
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Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 550V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2540pF @ 100V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 192W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |