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| Numero di parte | BSD214SN L6327 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
| Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSD214SN L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 | - | 0 | Dettagli |