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| Número de pieza | BSD214SN L6327 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
| Paquete / caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BSD214SN L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 | - | 0 | Detalles |
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BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 | - | 0 | Detalles |