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Numero di parte | BSD214SNH6327XTSA1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |