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| Numero di parte | GA01PNS80-220 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | PIN - Single |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 8000V |
| Corrente - max | 2A |
| Capacità @ Vr, F | 4pF @ 1000V, 1MHz |
| Resistenza @ Se, F | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Pacchetto / caso | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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GA01PNS150-201 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 15000V 1A DO-201 | - | 121 | Dettagli |
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GA01PNS150-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A | 11 | Dettagli | |
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GA01PNS80-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON CARBIDE 8KV | 0 | Dettagli |