GA01PNS80-220

DIODE SILICON CARBIDE 8KV
GA01PNS80-220 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ GA01PNS80-220

Numéro d'article
GA01PNS80-220
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - RF
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Numéro d'article GA01PNS80-220
État de la pièce Active
Type de diode PIN - Single
Tension - Peak Reverse (Max) 8000V
Courant - Max 2A
Capacitance @ Vr, F 4pF @ 1000V, 1MHz
Résistance @ Si, F -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquet / cas Axial
Package de périphérique fournisseur -

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