GA01PNS80-220

DIODE SILICON CARBIDE 8KV
GA01PNS80-220 P1
GA01PNS80-220 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ GA01PNS80-220

Artikelnummer
GA01PNS80-220
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GA01PNS80-220.pdf GA01PNS80-220 PDF online browsing
Familie
Dioden - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer GA01PNS80-220
Teilstatus Active
Dioden-Typ PIN - Single
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) 8000V
Strom - max 2A
Kapazität @ Vr, F 4pF @ 1000V, 1MHz
Widerstand @ If, F -
Verlustleistung (Max) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket / Fall Axial
Lieferantengerätepaket -

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