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| Numero di parte | FDFME2P823ZT |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Pacchetto / caso | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDFM2N111 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP | - | 0 | Dettagli |
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FDFM2P110 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP | - | 0 | Dettagli |
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FDFMA2N028Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 | - | 45000 | Dettagli |
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FDFMA2P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | - | 36000 | Dettagli |
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FDFMA2P029Z-F106 | ON Semiconductor | -20V -3.1A 95 O PCH ER T | - | 169036 | Dettagli |
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FDFMA2P853 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 | - | 9000 | Dettagli |
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FDFMA2P853T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET | 0 | Dettagli | |
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FDFMA2P857 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 | 0 | Dettagli | |
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FDFMA2P859T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET | - | 0 | Dettagli |
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FDFMA3N109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 | - | 18000 | Dettagli |
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FDFMA3P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2 | 0 | Dettagli | |
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FDFME2P823ZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET | 0 | Dettagli |