FDFME2P823ZT

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
FDFME2P823ZT P1
FDFME2P823ZT P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDFME2P823ZT

номер части
FDFME2P823ZT
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Описание
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
FDFME2P823ZT.pdf FDFME2P823ZT PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FDFME2P823ZT
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 405pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.4W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 6-MicroFET (1.6x1.6)
Упаковка / чехол 6-UFDFN Exposed Pad

сопутствующие товары

Все продукты