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| Numero di parte | FDFM2P110 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MicroFET 3x3mm |
| Pacchetto / caso | 6-MLP, Power33 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FDF620003 | Diodes Incorporated | CLOCK SAW OSCILLATOR SEAM5032 T | - | 36286 | Dettagli |
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FDF620004A | Diodes Incorporated | CLOCK SAW OSCILLATOR SEAM5032 T | - | 36286 | Dettagli |
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FDFC2P100 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6 | 0 | Dettagli | |
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FDFC3N108 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 | 0 | Dettagli | |
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FDFM2N111 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP | - | 0 | Dettagli |
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FDFM2P110 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP | - | 0 | Dettagli |
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FDFMA2N028Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 | - | 45000 | Dettagli |
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FDFMA2P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | - | 36000 | Dettagli |
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FDFMA2P029Z-F106 | ON Semiconductor | -20V -3.1A 95 O PCH ER T | - | 169036 | Dettagli |
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FDFMA2P853 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 | - | 9000 | Dettagli |
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FDFMA2P853T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET | 0 | Dettagli | |
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FDFMA2P857 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 | 0 | Dettagli |