ZXMC3AMCTA

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
ZXMC3AMCTA P1
ZXMC3AMCTA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMC3AMCTA

Numero di parte
ZXMC3AMCTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ZXMC3AMCTA
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V
Potenza - Max 1.7W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (3x2)

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