ZXMC4559DN8TA

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
ZXMC4559DN8TA P1
ZXMC4559DN8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMC4559DN8TA

Numero di parte
ZXMC4559DN8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- ZXMC4559DN8TA PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ZXMC4559DN8TA
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
Potenza - Max 1.25W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP

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