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| Numero di parte | ZXMC10A816N8TC |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 497pF @ 50V |
| Potenza - Max | 1.8W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMC10A816N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC | - | 2500 | Dettagli |