19MT050XF

MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
19MT050XF P1
19MT050XF P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ 19MT050XF

Numéro d'article
19MT050XF
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article 19MT050XF
État de la pièce Obsolete
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7210pF @ 25V
Puissance - Max 1140W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas 16-MTP Module
Package de périphérique fournisseur 16-MTP

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