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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 19MT050XF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 31A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7210pF @ 25V |
| Leistung max | 1140W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 16-MTP Module |
| Lieferantengerätepaket | 16-MTP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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19MT050XF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP | 0 | Einzelheiten |