19MT050XF

MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
19MT050XF P1
19MT050XF P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ 19MT050XF

Número de pieza
19MT050XF
Fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza 19MT050XF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7210pF @ 25V
Potencia - Max 1140W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja 16-MTP Module
Paquete de dispositivo del proveedor 16-MTP

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