SSM6N7002BFE(T5L,F

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
SSM6N7002BFE(T5L,F P1
SSM6N7002BFE(T5L,F P2
SSM6N7002BFE(T5L,F P3
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6N7002BFE(T5L,F

Numéro d'article
SSM6N7002BFE(T5L,F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SSM6N7002BFE(T5L,F
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 25V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6 (1.6x1.6)

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