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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6N7002BFE,LM

Numéro d'article	SSM6N7002BFE,LM
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 25V
Puissance - Max	150mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
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