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| Número de pieza | SSM6N7002BFE(T5L,F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V |
| Potencia - Max | 150mW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 (1.6x1.6) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SSM6N7002BFE(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6N7002BFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6N7002CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | 0 | Detalles |