SCT2750NYTB

1700V .75 OHM 6A SIC FET
SCT2750NYTB P1
SCT2750NYTB P1
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Rohm Semiconductor ~ SCT2750NYTB

Numéro d'article
SCT2750NYTB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
1700V .75 OHM 6A SIC FET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SCT2750NYTB PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SCT2750NYTB
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 630µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 18V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 800V
Vgs (Max) +22V, -6V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 975 mOhm @ 1.7A, 18V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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