SCT20N120

MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
SCT20N120 P1
SCT20N120 P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

STMicroelectronics ~ SCT20N120

Numéro d'article
SCT20N120
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SCT20N120 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article SCT20N120
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 400V
Vgs (Max) +25V, -10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur HiP247™
Paquet / cas TO-247-3

Produits connexes

Tous les produits