SCT2120AFC

MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
SCT2120AFC P1
SCT2120AFC P1
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Rohm Semiconductor ~ SCT2120AFC

Numéro d'article
SCT2120AFC
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SCT2120AFC
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 3.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 18V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 500V
Vgs (Max) +22V, -6V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 10A, 18V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3

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