VS-GA200TH60S

IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
VS-GA200TH60S P1
VS-GA200TH60S P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GA200TH60S

Número de pieza
VS-GA200TH60S
Fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción
IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- VS-GA200TH60S PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza VS-GA200TH60S
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 260A
Potencia - Max 1042W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A (Typ)
Corriente - corte de colector (máximo) 5µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 13.1nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivo del proveedor Double INT-A-PAK

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