IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
IRFIB8N50KPBF P1
IRFIB8N50KPBF P2
IRFIB8N50KPBF P3
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Vishay Siliconix ~ IRFIB8N50KPBF

Número de pieza
IRFIB8N50KPBF
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFIB8N50KPBF.pdf IRFIB8N50KPBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IRFIB8N50KPBF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2160pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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