IRFIB5N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP
IRFIB5N50LPBF P1
IRFIB5N50LPBF P2
IRFIB5N50LPBF P3
IRFIB5N50LPBF P1
IRFIB5N50LPBF P2
IRFIB5N50LPBF P3
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Vishay Siliconix ~ IRFIB5N50LPBF

Número de pieza
IRFIB5N50LPBF
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFIB5N50LPBF.pdf IRFIB5N50LPBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza IRFIB5N50LPBF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Productos relacionados

Todos los productos