IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
IRFIB8N50KPBF P1
IRFIB8N50KPBF P2
IRFIB8N50KPBF P3
IRFIB8N50KPBF P1
IRFIB8N50KPBF P2
IRFIB8N50KPBF P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ IRFIB8N50KPBF

номер части
IRFIB8N50KPBF
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRFIB8N50KPBF.pdf IRFIB8N50KPBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRFIB8N50KPBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 89nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2160pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 4A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220-3
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

сопутствующие товары

Все продукты