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| Número de pieza | TPC6113(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TPC6110(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 | - | 0 | Detalles |
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TPC6111(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6 | - | 0 | Detalles |
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TPC6113(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5A VS6 | - | 0 | Detalles |