Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPC6113(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPC6110(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TPC6111(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TPC6113(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5A VS6 | - | 0 | Einzelheiten |