MSM51V18165F-60T3

IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
MSM51V18165F-60T3 P1
MSM51V18165F-60T3 P2
MSM51V18165F-60T3 P1
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Rohm Semiconductor ~ MSM51V18165F-60T3

Número de pieza
MSM51V18165F-60T3
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza MSM51V18165F-60T3
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología DRAM
Tamaño de la memoria 16Mb (1M x 16)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 104ns
Tiempo de acceso 30ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 3 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 50-TSOP

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