MSM51V18165F-60T3

IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
MSM51V18165F-60T3 P1
MSM51V18165F-60T3 P2
MSM51V18165F-60T3 P1
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Rohm Semiconductor ~ MSM51V18165F-60T3

Artikelnummer
MSM51V18165F-60T3
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer MSM51V18165F-60T3
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie DRAM
Speichergröße 16Mb (1M x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 104ns
Zugriffszeit 30ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket 50-TSOP

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