MSM51V18160F-60T3-K7

IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
MSM51V18160F-60T3-K7 P1
MSM51V18160F-60T3-K7 P1
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Rohm Semiconductor ~ MSM51V18160F-60T3-K7

Número de pieza
MSM51V18160F-60T3-K7
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MSM51V18160F-60T3-K7 PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza MSM51V18160F-60T3-K7
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología DRAM
Tamaño de la memoria 16Mb (1M x 16)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso 30ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 3 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje -
Paquete / caja -
Paquete de dispositivo del proveedor -

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