DTDG14GPT100

TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
DTDG14GPT100 P1
DTDG14GPT100 P2
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Rohm Semiconductor ~ DTDG14GPT100

Número de pieza
DTDG14GPT100
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza DTDG14GPT100
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 60V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) -
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 80MHz
Potencia - Max 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor MPT3

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